功率半导体封装及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410137256.0

申请日：

2024-01-31

公开(公告)号：

CN120435015A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

许志祥龙涛黄品豪陈芃君

申请人：

达尔科技股份有限公司

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H10D8/60

IPC分类号：

H10D62/10 H10D8/01

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林彦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	公开	公开
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 8/60申请日:20240131

共 50 条

[1]

功率半导体封装及其制造方法 [P].

M·贝姆 ;

S·韦策尔 ;

A·格拉斯曼 ;

B·施默尔泽 ;

U·申德勒 .

:CN118016625A ,2024-05-10

[2]

功率半导体封装结构及其制造方法 [P].

曾剑鸿 ;

洪守玉 .

中国专利 :CN102593108B ,2012-07-18

[3]

功率半导体封装件及其制造方法 [P].

张范植 ;

赵俊亨 ;

韩京昊 ;

朱龙辉 ;

李硕浩 .

中国专利 :CN106158843A ,2016-11-23

[4]

半导体封装、功率模块及其制造方法 [P].

周辉星 ;

S·K·穆尼拉提南 .

:CN120164875A ,2025-06-17

[5]

功率半导体封装体及其制造方法 [P].

谢智正 ;

冷中明 .

中国专利 :CN103515370A ,2014-01-15

[6]

功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法 [P].

J·乌利希 .

德国专利 :CN113496959B ,2025-02-18

[7]

功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法 [P].

J·乌利希 .

中国专利 :CN113496959A ,2021-10-12

[8]

半导体封装衬底及其制造方法、半导体封装及其制造方法 [P].

裵仁燮 ;

姜圣日 ;

尹东陈 .

中国专利 :CN110189999A ,2019-08-30

[9]

半导体封装、功率半导体模块及制造方法 [P].

塞巴斯蒂安·贝索尔德 ;

马克·拉施 .

德国专利 :CN120199735A ,2025-06-24

[10]

半导体封装、半导体封装堆叠及其制造方法 [P].

施信益 .

中国专利 :CN111524878A ,2020-08-11

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