功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110270432.4

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN113496959B

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

J·乌利希

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L23/29

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法 [P].

J·乌利希 .

中国专利 :CN113496959A ,2021-10-12

[2]

功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P].

林维安 ;

P·A·A·卡洛 ;

谢丁顺 ;

张翠薇 ;

S·K·穆鲁甘 ;

沈盈博 ;

陈志文 .

中国专利 :CN112420629A ,2021-02-26

[3]

功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P].

J·纳拉亚纳萨米 ;

S·阿布德哈米德 ;

庄铭浩 ;

M·R·戈多伊 ;

蓝志民 ;

A·R·穆罕默德 ;

S·K·穆鲁甘 ;

T·施特克 .

中国专利 :CN114420575A ,2022-04-29

[4]

半导体封装和用于制造半导体封装的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

P·弗兰克 ;

A·海因里希 ;

A·卢德施特克-佩希洛夫 ;

D·佩多内 .

中国专利 :CN112786546A ,2021-05-11

[5]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

J·赫格尔 ;

B·贝茨 ;

S·布拉德尔 ;

D·奥伯迈尔 .

中国专利 :CN112071816A ,2020-12-11

[6]

功率半导体封装 [P].

M·聪德尔 .

中国专利 :CN104425401B ,2015-03-18

[7]

功率半导体封装件 [P].

格扎·德日 ;

林育圣 ;

库尔迪普·萨克塞纳 .

美国专利 :CN121079774A ,2025-12-05

[8]

功率半导体封装方法和结构 [P].

R·A·费利昂 ;

R·A·博普雷 ;

A·埃拉塞尔 ;

R·J·沃纳洛夫斯基 ;

C·S·科尔曼 .

中国专利 :CN1917158A ,2007-02-21

[9]

功率半导体封装结构 [P].

阿默·侯赛因·阿卜杜·詹那比 ;

龙腾 .

英国专利 :CN120261406A ,2025-07-04

[10]

半导体封装和用于制造半导体封装的方法 [P].

M·Y·B·瓦吉曼 ;

R·S·拉扎拉 ;

E·苏西洛 ;

P·K·维什瓦纳坦 .

中国专利 :CN113451157A ,2021-09-28

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