功率半导体封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410433012.3

申请日：

2014-08-28

公开(公告)号：

CN104425401B

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

M·聪德尔

申请人：

申请人地址：

德国诺伊比贝尔格

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2348

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-05	授权	授权
2015-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101605751500 IPC(主分类):H01L 23/31 专利申请号:2014104330123 申请日:20140828
2015-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体封装件 [P].

格扎·德日 ;

林育圣 ;

库尔迪普·萨克塞纳 .

美国专利 :CN121079774A ,2025-12-05

[2]

功率半导体封装结构 [P].

梁小广 ;

丁烜明 ;

洪旭 ;

朱荣 .

中国专利 :CN114203642A ,2022-03-18

[3]

功率半导体封装结构 [P].

阿默·侯赛因·阿卜杜·詹那比 ;

龙腾 .

英国专利 :CN120261406A ,2025-07-04

[4]

功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法 [P].

J·乌利希 .

德国专利 :CN113496959B ,2025-02-18

[5]

功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法 [P].

J·乌利希 .

中国专利 :CN113496959A ,2021-10-12

[6]

功率半导体封装 [P].

鲁军 ;

弗兰茨娃·赫尔伯特 .

中国专利 :CN102097346B ,2011-06-15

[7]

功率半导体封装 [P].

M·施坦丁 ;

R·J·克拉克 .

中国专利 :CN101015055A ,2007-08-08

[8]

功率半导体封装 [P].

大卫·朱利亚诺 .

美国专利 :CN117837073A ,2024-04-05

[9]

分立功率半导体封装 [P].

张锋 ;

蔡颖达 ;

周继峰 .

中国专利 :CN217280758U ,2022-08-23

[10]

功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P].

林维安 ;

P·A·A·卡洛 ;

谢丁顺 ;

张翠薇 ;

S·K·穆鲁甘 ;

沈盈博 ;

陈志文 .

中国专利 :CN112420629A ,2021-02-26

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