功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010841996.4

申请日：

2020-08-20

公开(公告)号：

CN112420629A

公开(公告)日：

2021-02-26

发明(设计)人：

林维安 P·A·A·卡洛谢丁顺张翠薇 S·K·穆鲁甘沈盈博陈志文

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L23373 H01L2342 H01L2150 H01L23495

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

周家新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-26	公开	公开
2022-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20200820

共 50 条

[1]

功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P].

J·纳拉亚纳萨米 ;

S·阿布德哈米德 ;

庄铭浩 ;

M·R·戈多伊 ;

蓝志民 ;

A·R·穆罕默德 ;

S·K·穆鲁甘 ;

T·施特克 .

中国专利 :CN114420575A ,2022-04-29

[2]

功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法 [P].

J·乌利希 .

德国专利 :CN113496959B ,2025-02-18

[3]

功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法 [P].

J·乌利希 .

中国专利 :CN113496959A ,2021-10-12

[4]

半导体封装体和用于制造半导体封装体的方法 [P].

陈淑雯 ;

张超发 ;

钟福兴 ;

郑家锋 ;

方子康 ;

穆罕默德萨努斯穆罕默德 ;

黄美晶 ;

黄胤生 ;

卜佩銮 ;

王春晖 .

中国专利 :CN108231608B ,2018-06-29

[5]

半导体封装体和用于制造半导体封装体的方法 [P].

K·C·A·苏 ;

张超发 ;

N·莫尔班 .

中国专利 :CN114005797A ,2022-02-01

[6]

半导体封装体和制造半导体封装体的方法 [P].

邱进添 ;

邰恩勇 ;

钱开友 ;

廖致钦 ;

H.塔基亚 ;

G.辛格 .

中国专利 :CN107994011A ,2018-05-04

[7]

功率半导体封装体及其制造方法 [P].

谢智正 ;

冷中明 .

中国专利 :CN103515370A ,2014-01-15

[8]

半导体功率模块、半导体功率封装体以及用于制造半导体功率模块的方法 [P].

R·索莱曼扎德 ;

N·帕利克 ;

柳春雷 ;

U·卡尤姆 .

:CN121241433A ,2025-12-30

[9]

半导体封装和用于制造半导体封装的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

P·弗兰克 ;

A·海因里希 ;

A·卢德施特克-佩希洛夫 ;

D·佩多内 .

中国专利 :CN112786546A ,2021-05-11

[10]

半导体封装体和堆叠半导体封装体 [P].

金圣敏 .

中国专利 :CN103066052A ,2013-04-24

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