半导体封装体和制造半导体封装体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610949420.3

申请日：

2016-10-26

公开(公告)号：

CN107994011A

公开(公告)日：

2018-05-04

发明(设计)人：

邱进添邰恩勇钱开友廖致钦 H.塔基亚 G.辛格

申请人：

申请人地址：

上海市闵行区江川东路388号

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-04	公开	公开
2020-06-02	授权	授权
2018-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/065 申请日:20161026

共 50 条

[1]

半导体封装体和用于制造半导体封装体的方法 [P].

陈淑雯 ;

张超发 ;

钟福兴 ;

郑家锋 ;

方子康 ;

穆罕默德萨努斯穆罕默德 ;

黄美晶 ;

黄胤生 ;

卜佩銮 ;

王春晖 .

中国专利 :CN108231608B ,2018-06-29

[2]

半导体封装体和用于制造半导体封装体的方法 [P].

K·C·A·苏 ;

张超发 ;

N·莫尔班 .

中国专利 :CN114005797A ,2022-02-01

[3]

半导体封装体和堆叠半导体封装体 [P].

金圣敏 .

中国专利 :CN103066052A ,2013-04-24

[4]

半导体封装体、半导体组件和制作半导体封装体的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

李德森 ;

K·席斯 ;

X·施勒格尔 ;

王莉双 ;

M·H·祖尔基夫利 .

中国专利 :CN112234032A ,2021-01-15

[5]

半导体封装体、半导体组件和制作半导体封装体的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

李德森 ;

K·席斯 ;

X·施勒格尔 ;

王莉双 ;

M·H·祖尔基夫利 .

德国专利 :CN112234032B ,2024-06-04

[6]

功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P].

林维安 ;

P·A·A·卡洛 ;

谢丁顺 ;

张翠薇 ;

S·K·穆鲁甘 ;

沈盈博 ;

陈志文 .

中国专利 :CN112420629A ,2021-02-26

[7]

功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P].

J·纳拉亚纳萨米 ;

S·阿布德哈米德 ;

庄铭浩 ;

M·R·戈多伊 ;

蓝志民 ;

A·R·穆罕默德 ;

S·K·穆鲁甘 ;

T·施特克 .

中国专利 :CN114420575A ,2022-04-29

[8]

半导体封装体和用于生产半导体封装体的方法 [P].

J·马勒 .

中国专利 :CN104821298B ,2015-08-05

[9]

半导体封装体和用于形成半导体封装体的方法 [P].

栾竟恩 .

中国专利 :CN106920781A ,2017-07-04

[10]

半导体封装体以及使用半导体封装体的半导体器件 [P].

玉馆由香 .

中国专利 :CN101335253B ,2008-12-31

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