半导体封装、功率模块及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411688889.7

申请日：

2024-11-25

公开(公告)号：

CN120164875A

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

周辉星 S·K·穆尼拉提南

申请人：

PEP创新私人有限公司

申请人地址：

新加坡海军部8号1层07/10号

IPC主分类号：

H01L23/498

IPC分类号：

H01L23/488 H01L23/473 H01L23/427 H01L21/50

代理机构：

北京方可律师事务所 11828

代理人：

吴艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/498申请日:20241125
2025-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装及功率模块 [P].

周辉星 ;

S·K·穆尼拉提南 .

:CN223527180U ,2025-11-07

[2]

半导体功率模块及其封装方法 [P].

张昊 ;

梁明 ;

陈楠宏 ;

洪雄平 ;

刘嘉豪 ;

和巍巍 .

中国专利 :CN120637247A ,2025-09-12

[3]

半导体封装、功率半导体模块及制造方法 [P].

塞巴斯蒂安·贝索尔德 ;

马克·拉施 .

德国专利 :CN120199735A ,2025-06-24

[4]

半导体功率模块、半导体功率封装体以及用于制造半导体功率模块的方法 [P].

R·索莱曼扎德 ;

N·帕利克 ;

柳春雷 ;

U·卡尤姆 .

:CN121241433A ,2025-12-30

[5]

半导体功率模块、半导体功率封装件以及用于制造半导体功率模块的方法 [P].

R·索莱曼扎德 ;

N·帕利克 ;

M·施密特 .

:CN121219838A ,2025-12-26

[6]

功率半导体封装及其制造方法 [P].

M·贝姆 ;

S·韦策尔 ;

A·格拉斯曼 ;

B·施默尔泽 ;

U·申德勒 .

:CN118016625A ,2024-05-10

[7]

功率半导体封装及其制造方法 [P].

许志祥 ;

龙涛 ;

黄品豪 ;

陈芃君 .

美国专利 :CN120435015A ,2025-08-05

[8]

半导体封装及其制造方法以及半导体封装模块 [P].

金镇洙 ;

柳志满 ;

任舜圭 .

中国专利 :CN103094222A ,2013-05-08

[9]

半导体功率模块封装结构及其制备方法 [P].

孙复生 ;

巴利生 ;

郑慧灵 .

中国专利 :CN103311193A ,2013-09-18

[10]

半导体封装模块及其制造方法 [P].

巫培农 ;

李昀聪 ;

沈里正 .

中国专利 :CN115483194A ,2022-12-16

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