功率MOSFET半桥模块以及封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020337033.6

申请日：

2020-03-17

公开(公告)号：

CN211508926U

公开(公告)日：

2020-09-15

发明(设计)人：

杨小川李彦莹路笑

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼

IPC主分类号：

H02M700

IPC分类号：

H02M132 H02M75387 H01L2516

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

施婷婷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-15	授权	授权

共 50 条

[1]

高频MOSFET半桥智能功率模块 [P].

丁浩宸 ;

杨超 ;

陈志阳 ;

徐彩云 .

中国专利 :CN115242106B ,2024-08-02

[2]

一种半桥功率模块封装结构 [P].

吕灿君 ;

高阳 ;

朱江海 ;

周涛 .

中国专利 :CN220796734U ,2024-04-16

[3]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[4]

功率模块及功率模块的半桥结构 [P].

张杰夫 ;

邓海明 ;

夏文锦 ;

宋贵波 .

中国专利 :CN217426735U ,2022-09-13

[5]

大功率MOSFET逆变半桥器件 [P].

闫颖 ;

武敏智 ;

李亚斌 ;

高胜利 ;

王玉杰 .

中国专利 :CN205051593U ,2016-02-24

[6]

功率半导体模块及半桥功率模块 [P].

胡豹 ;

钱弈晨 ;

张林 .

中国专利 :CN221614839U ,2024-08-27

[7]

半桥功率模块及功率模块 [P].

兰祥 ;

毛森 ;

靳永明 ;

刘卫星 .

中国专利 :CN222190719U ,2024-12-17

[8]

功率控制模块、半桥电路 [P].

冯颖盈 ;

姚顺 ;

胡飞 ;

徐金柱 ;

刘钧 .

中国专利 :CN216312973U ,2022-04-15

[9]

IGBT功率半桥模块 [P].

贺东晓 ;

王晓宝 ;

姚玉双 ;

周锦源 .

中国专利 :CN202167483U ,2012-03-14

[10]

IGBT半桥功率模块 [P].

贺东晓 ;

姚天保 ;

王晓宝 ;

麻长胜 .

中国专利 :CN202406000U ,2012-08-29

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