一种半桥功率模块封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322276067.5

申请日：

2023-08-22

公开(公告)号：

CN220796734U

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

吕灿君高阳朱江海周涛

申请人：

合肥钧联汽车电子有限公司

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区卫星路与青龙潭路交叉口新港集成电路产业园c5栋1-2层

IPC主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L23/367 H01L23/31

代理机构：

厦门原创联合知识产权代理有限公司 35293

代理人：

陈建华

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种双面半桥功率模块 [P].

高阳 ;

吕灿君 ;

周涛 ;

朱江海 .

中国专利 :CN220796724U ,2024-04-16

[2]

一种全桥功率模块封装结构 [P].

吕灿君 ;

高阳 .

中国专利 :CN221508161U ,2024-08-09

[3]

半桥封装功率模块 [P].

刘进明 ;

郑雷 ;

孙志超 ;

姚佳文 ;

何挺 .

中国专利 :CN117913063A ,2024-04-19

[4]

一种半桥功率模块 [P].

金晓行 ;

刘志宏 ;

吕镇 ;

姬凤燕 .

中国专利 :CN202120903U ,2012-01-18

[5]

一种半桥功率模块结构 [P].

徐海滨 ;

白淼光 ;

徐贺 ;

朱楠 .

中国专利 :CN120784233A ,2025-10-14

[6]

半桥功率模块及功率模块 [P].

兰祥 ;

毛森 ;

靳永明 ;

刘卫星 .

中国专利 :CN222190719U ,2024-12-17

[7]

半桥功率模块及其封装方法 [P].

吴兴诚 .

中国专利 :CN119852273A ,2025-04-18

[8]

一种半桥功率模块引线框架及封装 [P].

李坤 ;

黄维 ;

胡术云 ;

毕磊 ;

毕超 .

中国专利 :CN120727688A ,2025-09-30

[9]

功率MOSFET半桥模块以及封装结构 [P].

杨小川 ;

李彦莹 ;

路笑 .

中国专利 :CN211508926U ,2020-09-15

[10]

IGBT半桥功率模块 [P].

贺东晓 ;

姚天保 ;

王晓宝 ;

麻长胜 .

中国专利 :CN202406000U ,2012-08-29

← 1 2 3 4 5 →