高频MOSFET半桥智能功率模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210905912.8

申请日：

2022-07-29

公开(公告)号：

CN115242106B

公开(公告)日：

2024-08-02

发明(设计)人：

丁浩宸杨超陈志阳徐彩云

申请人：

无锡惠芯半导体有限公司

申请人地址：

214035 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋215、216室

IPC主分类号：

H02M7/00

IPC分类号：

H02M1/088 H01L25/18

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-02	授权	授权

共 50 条

[1]

功率MOSFET半桥模块以及封装结构 [P].

杨小川 ;

李彦莹 ;

路笑 .

中国专利 :CN211508926U ,2020-09-15

[2]

半桥功率模块（DPIM） [P].

王友强 ;

吴培杰 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN309652102S ,2025-12-05

[3]

半桥功率模块及功率模块 [P].

兰祥 ;

毛森 ;

靳永明 ;

刘卫星 .

中国专利 :CN222190719U ,2024-12-17

[4]

半桥模块及功率模块 [P].

张学伦 .

中国专利 :CN221885096U ,2024-10-22

[5]

半桥模块及功率模块 [P].

张学伦 .

中国专利 :CN221960965U ,2024-11-05

[6]

智能功率模块 [P].

邓中强 ;

李祥 ;

吴美飞 ;

陈春雄 .

中国专利 :CN215378748U ,2021-12-31

[7]

智能功率模块 [P].

陈颜 ;

李祥 ;

吴美飞 ;

盛春长 .

中国专利 :CN220693004U ,2024-03-29

[8]

半桥封装功率模块 [P].

刘进明 ;

郑雷 ;

孙志超 ;

姚佳文 ;

何挺 .

中国专利 :CN117913063A ,2024-04-19

[9]

半桥式功率模块 [P].

柳春雷 ;

G·塞尔瓦托 ;

N·帕利克 .

:CN223347784U ,2025-09-16

[10]

IGBT半桥功率模块 [P].

贺东晓 ;

姚天保 ;

王晓宝 ;

麻长胜 .

中国专利 :CN202406000U ,2012-08-29

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