功率MOS的封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021722031.5

申请日：

2020-08-18

公开(公告)号：

CN212517179U

公开(公告)日：

2021-02-09

发明(设计)人：

张开航马云洋

申请人：

申请人地址：

215011 江苏省苏州市高新区通安镇华金路258号3栋4楼

IPC主分类号：

H01L23373

IPC分类号：

H01L23367 H01L2349 H01L2331 H01L2507

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[2]

功率MOS器件封装结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN218482233U ,2023-02-14

[3]

功率MOS半导体器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09

[4]

MOS型功率器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN114078831B ,2024-08-20

[5]

MOS型功率器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN114078831A ,2022-02-22

[6]

一种功率MOS封装结构 [P].

戈志敏 ;

黄文杰 ;

赵威然 ;

李晖 ;

武文涛 .

中国专利 :CN223273272U ,2025-08-26

[7]

功率MOS器件结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN215496735U ,2022-01-11

[8]

四方扁平型功率MOS芯片封装结构 [P].

胡乃仁 ;

杨小平 ;

李国发 ;

钟利强 .

中国专利 :CN102842548A ,2012-12-26

[9]

一种小型封装功率MOS并联安装结构 [P].

周勇 .

中国专利 :CN205092241U ,2016-03-16

[10]

一种大功率MOS管封装结构 [P].

丁伟 .

中国专利 :CN214279955U ,2021-09-24

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