功率MOS器件封装结构

被引：0

申请号：

CN202222296643.8

申请日：

2022-08-31

公开(公告)号：

CN218482233U

公开(公告)日：

2023-02-14

发明(设计)人：

田伟廖兵

申请人：

申请人地址：

215163 江苏省苏州市科技城培源路2号微系统园M1-204

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2349 H01L2329 H01L2313 H01L2331 H01L2315 H01L2310 H01L23367

代理机构：

苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697

代理人：

姚昌胜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-14	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件封装结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN218482234U ,2023-02-14

[2]

功率MOS器件结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN215496735U ,2022-01-11

[3]

一种MOS器件封装结构 [P].

吴昊 ;

王成 ;

陆亚斌 .

中国专利 :CN222775311U ,2025-04-18

[4]

功率MOS的封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517179U ,2021-02-09

[5]

一种功率MOS器件低热阻封装结构 [P].

缪志平 .

中国专利 :CN215342555U ,2021-12-28

[6]

功率MOS器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN215118911U ,2021-12-10

[7]

功率MOS器件 [P].

潘仁杰 ;

田柏冠 ;

郑轩志 .

中国专利 :CN223297939U ,2025-09-02

[8]

功率器件封装结构 [P].

赵永新 ;

林伟健 ;

李汉祥 ;

李其鸿 .

中国专利 :CN210379025U ,2020-04-21

[9]

半导体MOS器件的封装结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN215496688U ,2022-01-11

[10]

沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624702U ,2018-07-17

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