功率MOS器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121809539.3

申请日：

2021-08-04

公开(公告)号：

CN215496735U

公开(公告)日：

2022-01-11

发明(设计)人：

田伟廖兵

申请人：

申请人地址：

215163 江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1-304

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L23367 H01L23495 H01L2331

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	授权	授权

共 50 条

[1]

功率MOS器件封装结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN218482233U ,2023-02-14

[2]

功率MOS器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN215118911U ,2021-12-10

[3]

功率MOS器件 [P].

潘仁杰 ;

田柏冠 ;

郑轩志 .

中国专利 :CN223297939U ,2025-09-02

[4]

MOS功率半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15

[5]

功率MOS半导体器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09

[6]

功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208111442U ,2018-11-16

[7]

功率半导体器件封装结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN218482234U ,2023-02-14

[8]

超结SGT MOS功率半导体器件结构 [P].

廖巍 ;

张海涛 .

中国专利 :CN213184293U ,2021-05-11

[9]

沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624702U ,2018-07-17

[10]

一种功率MOS器件 [P].

罗小蓉 ;

尹超 ;

谭桥 ;

张彦辉 ;

刘建平 ;

周坤 ;

魏杰 ;

马达 ;

吴俊峰 .

中国专利 :CN105070760A ,2015-11-18

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