一种功率MOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510556581.1

申请日：

2015-09-06

公开(公告)号：

CN105070760A

公开(公告)日：

2015-11-18

发明(设计)人：

罗小蓉尹超谭桥张彦辉刘建平周坤魏杰马达吴俊峰

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101637759547 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015105565811 申请日:20150906
2015-11-18	公开	公开
2017-12-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种槽型MOS功率器件 [P].

罗小蓉 ;

尹超 ;

刘建平 ;

谭桥 ;

张彦辉 ;

田瑞超 ;

吕孟山 ;

马达 .

中国专利 :CN104465778A ,2015-03-25

[2]

一种分裂栅功率MOS器件 [P].

罗小蓉 ;

赵哲言 ;

邓高强 ;

张凯 ;

孙涛 ;

杨洋 ;

张波 .

中国专利 :CN107516680A ,2017-12-26

[3]

一种横向功率MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN202205752U ,2012-04-25

[4]

功率MOS器件结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN215496735U ,2022-01-11

[5]

一种功率MOS器件低热阻封装结构 [P].

陈勇 ;

赵建明 ;

夏建新 .

中国专利 :CN102201449B ,2011-09-28

[6]

一种MOS功率半导体器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN118888593A ,2024-11-01

[7]

平面型功率MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN103280456A ,2013-09-04

[8]

一种功率MOS器件结构 [P].

章舒 ;

何延强 ;

罗泽煌 ;

吴孝嘉 .

中国专利 :CN103390647A ,2013-11-13

[9]

耐压功率MOS器件 [P].

李俊宏 ;

朱鸿远 .

中国专利 :CN106960877A ,2017-07-18

[10]

一种功率MOS器件在线测温的方法 [P].

冯士维 ;

石帮兵 ;

史冬 ;

张亚民 ;

王勋 .

中国专利 :CN106199366A ,2016-12-07

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