一种功率MOS器件低热阻封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121745215.8

申请日：

2021-07-29

公开(公告)号：

CN215342555U

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

缪志平

申请人：

申请人地址：

214200 江苏省无锡市宜兴市丁蜀镇陶瓷产业园蠡河路

IPC主分类号：

H01L2304

IPC分类号：

H01L2306 H01L23367 H01L2978

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种功率MOS器件低热阻封装结构 [P].

陈勇 ;

赵建明 ;

夏建新 .

中国专利 :CN102201449B ,2011-09-28

[2]

功率MOS器件封装结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN218482233U ,2023-02-14

[3]

一种功率半导体器件低热阻封装结构 [P].

马明驼 ;

管安琪 ;

鲜明 .

中国专利 :CN211700264U ,2020-10-16

[4]

一种大功率半导体功率器件的低热阻封装结构 [P].

黎荣林 ;

王静辉 ;

段磊 ;

崔健 ;

郭跃伟 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN218333775U ,2023-01-17

[5]

低热阻的压接式功率器件封装 [P].

刘文广 ;

张朋 ;

李金元 .

中国专利 :CN204792757U ,2015-11-18

[6]

功率MOS器件结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN215496735U ,2022-01-11

[7]

低热阻大功率LED散热封装结构 [P].

梁柏高 .

中国专利 :CN2824295Y ,2006-10-04

[8]

一种功率器件封装结构 [P].

李明芬 ;

徐赛 ;

周正伟 ;

刘红军 ;

陆军 .

中国专利 :CN203787412U ,2014-08-20

[9]

一种功率器件封装结构 [P].

王友强 ;

王振萍 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN222720421U ,2025-04-04

[10]

一种具有低热阻的半导体器件封装结构 [P].

朱袁正 ;

杨卓 ;

朱久桃 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN209357719U ,2019-09-06

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