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MOS型功率器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010831136.2
申请日：
2020-08-18
公开(公告)号：
CN114078831A
公开(公告)日：
2022-02-22
发明(设计)人：
张开航 马云洋
申请人：
申请人地址：
215011 江苏省苏州市高新区通安镇华金路258号3栋4楼
IPC主分类号：
H01L2518
IPC分类号：
H01L23367 H01L23373 H01L23467
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
王健
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-03-11 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/18 申请日:20200818
2022-02-22 公开 公开
共 50 条
[1]
MOS型功率器件 [P]. 
张开航 ;
马云洋 .
中国专利 :CN114078831B ,2024-08-20
[2]
大功率快速散热型MOS器件 [P]. 
张开航 ;
马云洋 .
中国专利 :CN212517180U ,2021-02-09
[3]
功率MOS半导体器件 [P]. 
张开航 ;
马云洋 .
中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09
[4]
MOS型功率器件 [P]. 
秦博 ;
肖秀光 ;
吴海平 .
中国专利 :CN207338386U ,2018-05-08
[5]
功率MOS的封装结构 [P]. 
张开航 ;
马云洋 .
中国专利 :CN212517179U ,2021-02-09
[6]
高压晶闸管器件 [P]. 
唐兴军 ;
王亚 .
中国专利 :CN212810285U ,2021-03-26
[7]
双芯片功率MOSFET封装结构 [P]. 
张开航 ;
马云洋 .
中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09
[8]
MOS型功率器件及其制备方法 [P]. 
朱辉 ;
肖秀光 ;
吴海平 .
中国专利 :CN109103253B ,2018-12-28
[9]
MOS型功率器件及其制备方法 [P]. 
秦博 ;
肖秀光 ;
吴海平 .
中国专利 :CN109273529A ,2019-01-25
[10]
MOS型功率器件及其制造方法 [P]. 
吴海平 ;
肖秀光 .
中国专利 :CN107680933A ,2018-02-09
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