一种小型封装功率MOS并联安装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520836620.9

申请日：

2015-10-27

公开(公告)号：

CN205092241U

公开(公告)日：

2016-03-16

发明(设计)人：

周勇

申请人：

申请人地址：

332000 江西省九江市九江县沙城工业园

IPC主分类号：

H01L2516

IPC分类号：

代理机构：

厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218

代理人：

何家富

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种功率MOS封装结构 [P].

戈志敏 ;

黄文杰 ;

赵威然 ;

李晖 ;

武文涛 .

中国专利 :CN223273272U ,2025-08-26

[2]

功率MOS的封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517179U ,2021-02-09

[3]

一种功率MOS管并联安装装置 [P].

张斌 .

中国专利 :CN217363424U ,2022-09-02

[4]

一种功率MOS管并联安装装置 [P].

李洪亮 .

中国专利 :CN210405106U ,2020-04-24

[5]

功率MOS器件封装结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN218482233U ,2023-02-14

[6]

一种MOS管并联封装模块 [P].

任航 .

中国专利 :CN218123405U ,2022-12-23

[7]

一种平面MOS封装结构 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈剑 ;

姜帆 ;

张军亮 .

中国专利 :CN208315537U ,2019-01-01

[8]

一种大功率IGBT并联功率模块封装结构 [P].

宗荣生 ;

白艳 ;

芦亚苹 .

中国专利 :CN223296800U ,2025-09-02

[9]

一种功率MOS器件低热阻封装结构 [P].

缪志平 .

中国专利 :CN215342555U ,2021-12-28

[10]

一种大功率MOS管封装结构 [P].

丁伟 .

中国专利 :CN214279955U ,2021-09-24

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