一种MOSFET芯片封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421095636.4

申请日：

2024-05-20

公开(公告)号：

CN222581151U

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

张哲民肖步文

申请人：

无锡惠吉通半导体有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市惠山区惠山经济开发区堰新路311号3号楼0901-1室

IPC主分类号：

H01L23/10

IPC分类号：

H01L23/32 H01L23/16 H01L23/492

代理机构：

无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471

代理人：

王俊杰

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792766U ,2015-11-18

[2]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204857708U ,2015-12-09

[3]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792769U ,2015-11-18

[4]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792770U ,2015-11-18

[5]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792802U ,2015-11-18

[6]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

吉炜 .

中国专利 :CN221687524U ,2024-09-10

[7]

一种超薄MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204741017U ,2015-11-04

[8]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[9]

一种垂直型MOSFET芯片的封装结构 [P].

张黎 .

中国专利 :CN218274584U ,2023-01-10

[10]

一种MOSFET封装结构 [P].

葛诗方 ;

葛俊华 ;

吴云霞 .

中国专利 :CN208873714U ,2019-05-17

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