共源共栅半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010284962.X

申请日：

2020-04-13

公开(公告)号：

CN111952283A

公开(公告)日：

2020-11-17

发明(设计)人：

里卡多·杨多克马诺耶·巴拉克瑞南

申请人：

申请人地址：

荷兰奈梅亨

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L2507

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

张娜;李荣胜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20200413
2020-11-17	公开	公开

共 50 条

[1]

共源共栅半导体器件和制造方法 [P].

罗伯特·蒙哥马利 ;

里卡多·杨多克 .

中国专利 :CN111490030A ,2020-08-04

[2]

共源共栅半导体器件 [P].

陈敬 ;

舒稷 .

中国专利 :CN119814014A ,2025-04-11

[3]

一种半导体器件、共源共栅级联器件及其制备方法 [P].

陈雪磊 ;

刘庆波 ;

刘杉 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN115440810A ,2022-12-06

[4]

一种硅衬底GaN半导体共源共栅器件的设计方法 [P].

刘查理 .

中国专利 :CN109033620A ,2018-12-18

[5]

共形掺杂的半导体器件及其制造方法 [P].

林育樟 ;

卢文泰 ;

王立廷 ;

聂俊峰 ;

陈豪育 ;

张惠政 .

中国专利 :CN104701378B ,2015-06-10

[6]

共源共栅电路 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 .

中国专利 :CN105226056B ,2018-08-21

[7]

一种共源共栅级联器件 [P].

董新超 ;

邓厚超 .

中国专利 :CN119894084A ,2025-04-25

[8]

双栅极共源共栅驱动 [P].

A·巴拉 ;

李学清 .

美国专利 :CN118216088A ,2024-06-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈向东 ;

拉杰什·伦加拉詹 .

中国专利 :CN100511647C ,2007-01-10

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐山弘和 ;

西田征男 ;

太田和伸 ;

尾田秀一 .

中国专利 :CN1384547A ,2002-12-11

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