共源共栅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411260168.6

申请日：

2024-09-10

公开(公告)号：

CN119814014A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

陈敬舒稷

申请人：

香港科技大学

申请人地址：

中国香港九龙清水湾

IPC主分类号：

H03K17/687

IPC分类号：

H03F3/16

代理机构：

北京世峰知识产权代理有限公司 11713

代理人：

卓霖;许向彤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省梅州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H03K 17/687申请日:20240910
2025-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

共源共栅半导体设备 [P].

罗斯·马塞厄斯 ;

简·雄斯基 ;

鲁特尔·菲利普 .

中国专利 :CN103840821B ,2014-06-04

[2]

共源共栅型GaN器件及其制备方法 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN120224774A ,2025-06-27

[3]

共源共栅半导体器件及其制造方法 [P].

里卡多·杨多克 ;

马诺耶·巴拉克瑞南 .

中国专利 :CN111952283A ,2020-11-17

[4]

共源共栅半导体器件和制造方法 [P].

罗伯特·蒙哥马利 ;

里卡多·杨多克 .

中国专利 :CN111490030A ,2020-08-04

[5]

一种半导体器件、共源共栅级联器件及其制备方法 [P].

陈雪磊 ;

刘庆波 ;

刘杉 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN115440810A ,2022-12-06

[6]

一种硅衬底GaN半导体共源共栅器件的设计方法 [P].

刘查理 .

中国专利 :CN109033620A ,2018-12-18

[7]

一种共源共栅级联器件 [P].

董新超 ;

邓厚超 .

中国专利 :CN119894084A ,2025-04-25

[8]

半导体器件 [P].

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN115332314A ,2022-11-11

[9]

半导体器件 [P].

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN115332245B ,2024-03-08

[10]

半导体器件 [P].

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN115332245A ,2022-11-11

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