压敏粘接层形成性聚有机硅氧烷组合物及其使用

被引：0

申请号：

CN202080058542.8

申请日：

2020-08-11

公开(公告)号：

CN114341294A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

伊藤真树中村昭宏斋藤正浩须藤通孝

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C09J738

IPC分类号：

C09J18304 C09J18307 C09J18305 B32B2706 B32B2728

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

徐舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09J 7/38 申请日:20200811
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

压敏粘接层形成性聚有机硅氧烷组合物及其使用 [P].

伊藤真树 ;

中村昭宏 ;

斋藤正浩 ;

须藤通孝 .

日本专利 :CN114341294B ,2024-05-28

[2]

压敏粘接层形成性聚有机硅氧烷组合物及其使用 [P].

伊藤真树 ;

中村昭宏 ;

须藤通孝 .

中国专利 :CN112654687A ,2021-04-13

[3]

压敏粘接层形成性聚有机硅氧烷组合物及其使用 [P].

伊藤真树 ;

中村昭宏 ;

须藤通孝 .

中国专利 :CN112673073B ,2021-04-16

[4]

压敏粘接层形成性聚有机硅氧烷组合物及其使用 [P].

伊藤真树 ;

中村昭宏 ;

须藤通孝 .

中国专利 :CN114269875A ,2022-04-01

[5]

压敏粘接层形成性聚有机硅氧烷组合物及其使用 [P].

伊藤真树 ;

中村昭宏 ;

须藤通孝 .

日本专利 :CN114269876B ,2024-05-14

[6]

压敏粘接层形成性聚有机硅氧烷组合物及其使用 [P].

伊藤真树 ;

中村昭宏 ;

须藤通孝 .

中国专利 :CN112703240B ,2021-04-23

[7]

压敏粘接层形成性聚有机硅氧烷组合物及其使用 [P].

伊藤真树 ;

中村昭宏 ;

须藤通孝 .

中国专利 :CN114269876A ,2022-04-01

[8]

压敏粘接层形成性聚有机硅氧烷组合物及其使用 [P].

伊藤真树 ;

中村昭宏 ;

须藤通孝 .

日本专利 :CN114269875B ,2024-05-14

[9]

粘接性聚有机硅氧烷组合物 [P].

高梨正则 .

中国专利 :CN113015775A ,2021-06-22

[10]

粘接性聚有机硅氧烷组合物 [P].

太田代幸树 ;

宫田浩司 ;

高梨正则 .

中国专利 :CN113227237A ,2021-08-06

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