深紫外正性光刻胶及其成膜树脂

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610038787.6

申请日：

2006-03-13

公开(公告)号：

CN1818782A

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

冉瑞成沈吉庄学军

申请人：

申请人地址：

215011江苏省苏州市苏州新区灵岩街16号

IPC主分类号：

G03F7033

IPC分类号：

G03F7039 G03F7004

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

马明渡

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-16	公开	公开
2011-05-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101083896847 IPC(主分类):G03F 7/033 专利申请号:2006100387876 公开日:20060816
2008-02-27	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前权利人:江苏省苏州市苏州新区灵岩街16号邮政编码:215011 变更后权利人:江苏省苏州市吴中区渡村镇腾飞路27号3202 邮政编码:215106 变更事项:地址变更事项:申请人变更前权利人:苏州华飞微电子材料有限公司变更后权利人:苏州市成技新材料开发有限公司登记生效日:20080125

共 50 条

[1]

深紫外负性光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 ;

庄学军 .

中国专利 :CN1818781A ,2006-08-16

[2]

含纳米硅深紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 .

中国专利 :CN101974119A ,2011-02-16

[3]

含硅I-线紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 .

中国专利 :CN101974202A ,2011-02-16

[4]

含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 ;

庄学军 .

中国专利 :CN1834785A ,2006-09-20

[5]

化学增幅型含硅I-线紫外负性光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 .

中国专利 :CN102050908A ,2011-05-11

[6]

含纳米硅紫外厚膜正性光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 .

中国专利 :CN101979435A ,2011-02-23

[7]

含纳米硅深紫外负性增幅型光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 .

中国专利 :CN101974120A ,2011-02-16

[8]

含纳米硅聚酰胺紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 .

中国专利 :CN102050946B ,2011-05-11

[9]

一种紫外正性光刻胶及其高耐热成膜树脂 [P].

徐亮 .

中国专利 :CN104614942A ,2015-05-13

[10]

紫外厚膜光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 .

中国专利 :CN101974201A ,2011-02-16

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