含纳米硅深紫外负性增幅型光刻胶及其成膜树脂

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专利类型
发明
申请号
CN201010294202.3
申请日
2010-09-28
公开(公告)号
CN101974120A
公开(公告)日
2011-02-16
发明(设计)人
冉瑞成 沈吉
申请人
申请人地址
215311 江苏省昆山市巴城镇苇城南路1666号清华科技园创新大厦6层
IPC主分类号
C08F21214
IPC分类号
C08F21208 C08F22028 C08F22014 C08F22018 C08F22032 C08F842 G03F7075
代理机构
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
马明渡;王华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
含纳米硅深紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN101974119A ,2011-02-16
[2]
深紫外负性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 ;
庄学军 .
中国专利 :CN1818781A ,2006-08-16
[3]
化学增幅型含硅I-线紫外负性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN102050908A ,2011-05-11
[4]
深紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 ;
庄学军 .
中国专利 :CN1818782A ,2006-08-16
[5]
含纳米硅紫外厚膜正性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN101979435A ,2011-02-23
[6]
含苯并噁嗪结构的共聚物成膜树脂及其深紫外负性化学增幅型光刻胶 [P]. 
杨刚 .
中国专利 :CN101463106B ,2009-06-24
[7]
含硅I-线紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN101974202A ,2011-02-16
[8]
含纳米硅聚酰胺紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN102050946B ,2011-05-11
[9]
深紫外正型光刻胶成膜树脂及其制备方法 [P]. 
孙奇伟 ;
白钢 ;
独文倩 .
中国专利 :CN112694555A ,2021-04-23
[10]
化学增幅型高分辨率含硅I-线紫外光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN101974121A ,2011-02-16