化学增幅型高分辨率含硅I-线紫外光刻胶及其成膜树脂

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010294204.2
申请日
2010-09-28
公开(公告)号
CN101974121A
公开(公告)日
2011-02-16
发明(设计)人
冉瑞成 沈吉
申请人
申请人地址
215311 江苏省昆山市巴城镇苇城南路1666号清华科技园创新大厦6层
IPC主分类号
C08F21214
IPC分类号
C08F22028 C08F22018 C08F21208 G03F7075
代理机构
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
马明渡;王华
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 49 条
[1]
化学增幅型含硅I-线紫外负性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN102050908A ,2011-05-11
[2]
含硅I-线紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN101974202A ,2011-02-16
[3]
含纳米硅深紫外负性增幅型光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN101974120A ,2011-02-16
[4]
深紫外负性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 ;
庄学军 .
中国专利 :CN1818781A ,2006-08-16
[5]
深紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 ;
庄学军 .
中国专利 :CN1818782A ,2006-08-16
[6]
含苯并噁嗪结构的共聚物成膜树脂及其深紫外负性化学增幅型光刻胶 [P]. 
杨刚 .
中国专利 :CN101463106B ,2009-06-24
[7]
含纳米硅深紫外正性光刻胶及其成膜树脂 [P]. 
冉瑞成 ;
沈吉 .
中国专利 :CN101974119A ,2011-02-16
[8]
一种高分辨率光刻胶 [P]. 
齐国强 ;
顾大公 ;
岳力挽 ;
李珊珊 ;
马潇 ;
毛智彪 ;
许从应 .
中国专利 :CN112925166A ,2021-06-08
[9]
用于高分辨率负性光刻胶的树脂的纯化方法和光刻胶 [P]. 
安杨翔 ;
张兵 ;
向文胜 ;
赵建龙 ;
杨彦 ;
张威 ;
王玉龙 ;
黄丞 .
中国专利 :CN120289699A ,2025-07-11
[10]
一种成膜树脂、化学增幅型紫外正性光刻胶及其使用方法 [P]. 
朱明强 ;
彭玲艳 ;
李冲 .
中国专利 :CN116462795B ,2024-04-02