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半导体设备和用于形成半导体设备的方法

被引：0
申请号：
CN202210223704.X
申请日：
2022-03-07
公开(公告)号：
CN115050776A
公开(公告)日：
2022-09-13
发明(设计)人：
阿图尔·弗罗布莱夫斯基 约埃尔·哈彻 克里斯托夫·塞斯 斯特凡·塞德尔
申请人：
申请人地址：
德国瑙伊比贝尔格市
IPC主分类号：
H01L2724
IPC分类号：
H01L4500
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
支娜;蒋静静
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-13 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体设备和形成半导体设备的方法 [P]. 
叶夫根尼·齐比克 ;
安托万·皮西 ;
斯特凡诺·蒂雷利 .
美国专利 :CN117996563A ,2024-05-07
[2]
半导体设备和用于制造半导体设备的方法 [P]. 
远藤信之 ;
楠川将司 ;
庄山敏弘 .
中国专利 :CN108122939A ,2018-06-05
[3]
用于制造半导体设备的方法和半导体设备 [P]. 
M·舒尔茨 ;
S·克洛肯卡佩尔 ;
A·K·T·科纳坎奇 .
中国专利 :CN112563212A ,2021-03-26
[4]
半导体设备和用于制造半导体设备的方法 [P]. 
古桥隆寿 .
日本专利 :CN118525367A ,2024-08-20
[5]
用于形成半导体设备的方法 [P]. 
吴林春 ;
张坤 ;
周文犀 ;
夏志良 ;
霍宗亮 .
中国专利 :CN114175256A ,2022-03-11
[6]
用于形成半导体设备的方法 [P]. 
吴林春 ;
张坤 ;
周文犀 ;
夏志良 ;
霍宗亮 .
中国专利 :CN114175256B ,2025-11-18
[7]
半导体设备和操作半导体设备的方法 [P]. 
权敏圭 ;
吴亨锡 ;
金铉秀 ;
郑太真 ;
赵大雄 .
韩国专利 :CN110875618B ,2024-09-06
[8]
半导体设备和制造半导体设备的方法 [P]. 
姜仁求 .
韩国专利 :CN119486141A ,2025-02-18
[9]
半导体设备和操作半导体设备的方法 [P]. 
权敏圭 ;
吴亨锡 ;
金铉秀 ;
郑太真 ;
赵大雄 .
中国专利 :CN110875618A ,2020-03-10
[10]
半导体设备和制造半导体设备的方法 [P]. 
李炫虎 .
中国专利 :CN114464623A ,2022-05-10
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