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半导体设备和制造半导体设备的方法
被引:0
申请号
:
CN202110670110.9
申请日
:
2021-06-17
公开(公告)号
:
CN114464623A
公开(公告)日
:
2022-05-10
发明(设计)人
:
李炫虎
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L2711521
IPC分类号
:
H01L2711556
H01L2711568
H01L2711582
H01L2724
H01L4500
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
罗利娜
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20210617
2022-05-10
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
姜仁求
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
姜仁求
.
韩国专利
:CN119486141A
,2025-02-18
[2]
半导体设备和半导体设备的制造方法
[P].
皮特·恩格哈
论文数:
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0
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皮特·恩格哈
;
罗伯特·塞甘
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罗伯特·塞甘
;
威廉颂·马蒂杰斯·马林·凯塞尔斯
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威廉颂·马蒂杰斯·马林·凯塞尔斯
;
基杰斯·丁厄曼斯
论文数:
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基杰斯·丁厄曼斯
.
中国专利
:CN102804407B
,2012-11-28
[3]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
高野大树郎
论文数:
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0
高野大树郎
.
中国专利
:CN1722948A
,2006-01-18
[4]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
N·葛
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N·葛
;
L·Y·蔡
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L·Y·蔡
;
P·C·李
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P·C·李
;
J·J·兰多
论文数:
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J·J·兰多
.
中国专利
:CN105593978A
,2016-05-18
[5]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
小室善昭
论文数:
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小室善昭
.
中国专利
:CN101752305A
,2010-06-23
[6]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
觸泽绫子
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觸泽绫子
;
立石禄则
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立石禄则
;
冨吉俊夫
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冨吉俊夫
;
蜂巢高弘
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蜂巢高弘
.
中国专利
:CN115527931A
,2022-12-27
[7]
半导体设备和半导体设备的制造方法
[P].
郑盛旭
论文数:
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
郑盛旭
.
韩国专利
:CN119255610A
,2025-01-03
[8]
用于制造半导体设备的方法和半导体设备
[P].
M·舒尔茨
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M·舒尔茨
;
S·克洛肯卡佩尔
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S·克洛肯卡佩尔
;
A·K·T·科纳坎奇
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A·K·T·科纳坎奇
.
中国专利
:CN112563212A
,2021-03-26
[9]
半导体设备和用于制造半导体设备的方法
[P].
远藤信之
论文数:
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远藤信之
;
楠川将司
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楠川将司
;
庄山敏弘
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庄山敏弘
.
中国专利
:CN108122939A
,2018-06-05
[10]
半导体设备和制造该半导体设备的方法
[P].
崔硕珉
论文数:
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔硕珉
;
张晶植
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
张晶植
;
郭鲁珪
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
郭鲁珪
;
金定焕
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金定焕
;
朴寅洙
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
朴寅洙
;
崔元根
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔元根
.
韩国专利
:CN119212391A
,2024-12-27
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