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半导体设备和制造半导体设备的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201380079273.3
申请日
:
2013-08-30
公开(公告)号
:
CN105593978A
公开(公告)日
:
2016-05-18
发明(设计)人
:
N·葛
L·Y·蔡
P·C·李
J·J·兰多
申请人
:
申请人地址
:
美国德克萨斯州
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
王健;张涛
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-06-15
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665079302 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013800792733 申请日:20130830
2016-05-18
公开
公开
2019-05-31
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
姜仁求
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
姜仁求
.
韩国专利
:CN119486141A
,2025-02-18
[2]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
李炫虎
论文数:
0
引用数:
0
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0
李炫虎
.
中国专利
:CN114464623A
,2022-05-10
[3]
半导体设备和半导体设备的制造方法
[P].
皮特·恩格哈
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0
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0
皮特·恩格哈
;
罗伯特·塞甘
论文数:
0
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0
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罗伯特·塞甘
;
威廉颂·马蒂杰斯·马林·凯塞尔斯
论文数:
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0
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威廉颂·马蒂杰斯·马林·凯塞尔斯
;
基杰斯·丁厄曼斯
论文数:
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0
基杰斯·丁厄曼斯
.
中国专利
:CN102804407B
,2012-11-28
[4]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
高野大树郎
论文数:
0
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0
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0
高野大树郎
.
中国专利
:CN1722948A
,2006-01-18
[5]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
小室善昭
论文数:
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0
小室善昭
.
中国专利
:CN101752305A
,2010-06-23
[6]
半导体设备和制造半导体设备的方法
[P].
觸泽绫子
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觸泽绫子
;
立石禄则
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立石禄则
;
冨吉俊夫
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冨吉俊夫
;
蜂巢高弘
论文数:
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蜂巢高弘
.
中国专利
:CN115527931A
,2022-12-27
[7]
半导体设备和半导体设备的制造方法
[P].
郑盛旭
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
郑盛旭
.
韩国专利
:CN119255610A
,2025-01-03
[8]
用于制造半导体设备的方法和半导体设备
[P].
M·舒尔茨
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M·舒尔茨
;
S·克洛肯卡佩尔
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S·克洛肯卡佩尔
;
A·K·T·科纳坎奇
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A·K·T·科纳坎奇
.
中国专利
:CN112563212A
,2021-03-26
[9]
半导体设备和用于制造半导体设备的方法
[P].
远藤信之
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远藤信之
;
楠川将司
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楠川将司
;
庄山敏弘
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庄山敏弘
.
中国专利
:CN108122939A
,2018-06-05
[10]
半导体设备和制造该半导体设备的方法
[P].
崔硕珉
论文数:
0
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔硕珉
;
张晶植
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
张晶植
;
郭鲁珪
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
郭鲁珪
;
金定焕
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金定焕
;
朴寅洙
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
朴寅洙
;
崔元根
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔元根
.
韩国专利
:CN119212391A
,2024-12-27
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