具有抗等离子体蚀刻的涂层的等离子体蚀刻装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610379898.7

申请日：

2016-06-01

公开(公告)号：

CN106252188A

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

桑科特·桑特

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;张华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J 37/32 申请公布日:20161221
2016-12-21	公开	公开
2017-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101697774834 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2016103798987 申请日:20160601

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

穆罕默德·菲依鲁斯·宾布迪曼 ;

辻本宏 .

中国专利 :CN111801776A ,2020-10-20

[2]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

中国专利 :CN111527591A ,2020-08-11

[3]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

北垣内圭二 ;

小林史弥 ;

户村幕树 .

中国专利 :CN110729187A ,2020-01-24

[4]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

后平拓 ;

箕浦佑也 .

中国专利 :CN110164764A ,2019-08-23

[5]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

石井孝幸 .

中国专利 :CN104253036A ,2014-12-31

[6]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

[7]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

舆石公 ;

小林典之 ;

米田滋 ;

花轮健一 ;

田原慈 ;

杉本胜 .

中国专利 :CN101523569A ,2009-09-02

[8]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

大矢欣伸 ;

冈本晋 ;

持木宏政 .

中国专利 :CN101800161A ,2010-08-11

[9]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

宇田秀一郎 ;

平山祐介 .

中国专利 :CN101521158B ,2009-09-02

[10]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

广瀬润 ;

上田雄大 .

中国专利 :CN110010439A ,2019-07-12

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