共 50 条
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具有防静电保护结构的低压MOSFET器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201620009622.5
申请日：
2016-01-06
公开(公告)号：
CN205319162U
公开(公告)日：
2016-06-15
发明(设计)人：
朱袁正
周永珍
申请人：
申请人地址：
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良;张涛
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-06-15 | 授权 | 授权 |