一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720543582.7

申请日：

2017-05-15

公开(公告)号：

CN206768194U

公开(公告)日：

2017-12-19

发明(设计)人：

王鹏刘亮

申请人：

申请人地址：

225000 江苏省扬州市经济开发区马泊河路6号

IPC主分类号：

C22B916

IPC分类号：

C22B3002

代理机构：

北京轻创知识产权代理有限公司 11212

代理人：

谈杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高纯锑掺杂剂的制备装置及制备方法 [P].

周小渊 ;

李珍 ;

苏波 ;

王思远 ;

吴建财 ;

马占东 ;

董长海 ;

杜瑞平 ;

贺俊杰 .

中国专利 :CN119194609A ,2024-12-27

[2]

一种硅单晶锑掺杂剂制备装置 [P].

王鹏 ;

张俊 .

中国专利 :CN210481572U ,2020-05-08

[3]

一种半导体长晶用高纯石墨坩埚 [P].

吴伟荣 ;

王南军 .

中国专利 :CN220846341U ,2024-04-26

[4]

掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法 [P].

肖贵云 ;

白枭龙 ;

尚伟泽 .

中国专利 :CN112160020A ,2021-01-01

[5]

一种高纯锑制备装置 [P].

金承永 ;

龚福保 ;

李加生 ;

刘放云 ;

金贵忠 ;

金涛 ;

李署东 ;

刘鹊鸣 ;

谭左平 ;

曾雁 .

中国专利 :CN222007960U ,2024-11-15

[6]

一种P型半导体、P型掺杂剂的制备方法 [P].

潘家明 ;

何广川 .

中国专利 :CN102925964A ,2013-02-13

[7]

半导体用高纯石英材料制备装置 [P].

沈恒文 ;

王玮康 ;

唐浩 ;

代悦明 ;

夏美芳 .

中国专利 :CN215676374U ,2022-01-28

[8]

p型有机半导体掺杂剂及制备和钙钛矿半导体器件 [P].

徐勃 ;

罗鑫 ;

黄静 ;

黄锦海 .

中国专利 :CN116854600B ,2024-07-02

[9]

一种半导体长晶过滤器 [P].

钱元浦 .

中国专利 :CN210495643U ,2020-05-12

[10]

一种恒温掺杂剂装置 [P].

仓怀文 ;

李东明 ;

李海洋 .

中国专利 :CN203895410U ,2014-10-22

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