一种硅单晶锑掺杂剂制备装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921321603.6

申请日：

2019-08-14

公开(公告)号：

CN210481572U

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

王鹏张俊

申请人：

申请人地址：

225000 江苏省扬州市经济技术开发区马泊河路6号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京轻创知识产权代理有限公司 11212

代理人：

潘云峰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	授权	授权

共 50 条

[1]

掺杂剂添加方法、硅单晶制造方法、掺杂剂添加控制装置和硅单晶制造系统 [P].

太田博征 .

日本专利 :CN120830154A ,2025-10-24

[2]

一种用于直拉硅单晶多次加掺掺杂剂的装置 [P].

张欢 ;

郝晓明 ;

张宏浩 ;

吴志强 ;

崔彬 ;

姜舰 ;

王雅楠 ;

连庆伟 ;

李超 .

中国专利 :CN216919476U ,2022-07-08

[3]

一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法 [P].

张俊宝 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN105887187B ,2016-08-24

[4]

一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置 [P].

王鹏 ;

刘亮 .

中国专利 :CN206768194U ,2017-12-19

[5]

一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法 [P].

韩海建 ;

戴小林 ;

吴志强 ;

王学峰 .

中国专利 :CN101671841B ,2010-03-17

[6]

一种高纯锑掺杂剂的制备装置及制备方法 [P].

周小渊 ;

李珍 ;

苏波 ;

王思远 ;

吴建财 ;

马占东 ;

董长海 ;

杜瑞平 ;

贺俊杰 .

中国专利 :CN119194609A ,2024-12-27

[7]

掺杂剂掺杂装置 [P].

芮阳 .

中国专利 :CN208844224U ,2019-05-10

[8]

一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置 [P].

张向东 ;

王林 ;

毛荣昌 ;

俞顺根 ;

章斌 ;

程龙柱 .

中国专利 :CN209276672U ,2019-08-20

[9]

一种单晶炉掺杂剂加料工装 [P].

余孟 ;

杨李阳 ;

兰志勇 ;

樊同帅 .

中国专利 :CN223329422U ,2025-09-12

[10]

用于生产掺杂有n型掺杂剂的硅单晶的方法和设备 [P].

W·施陶达赫尔 ;

G·拉明 .

中国专利 :CN113061987A ,2021-07-02

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