掺杂剂添加方法、硅单晶制造方法、掺杂剂添加控制装置和硅单晶制造系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510464683.4

申请日：

2025-04-14

公开(公告)号：

CN120830154A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

太田博征

申请人：

胜高股份有限公司

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B15/04 C30B15/20

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

梅黎;蔡晓菡

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20250414

共 50 条

[1]

一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法 [P].

张俊宝 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN105887187B ,2016-08-24

[2]

一种硅单晶锑掺杂剂制备装置 [P].

王鹏 ;

张俊 .

中国专利 :CN210481572U ,2020-05-08

[3]

掺杂有n型掺杂剂的晶向为<100>的硅单晶及其制造方法 [P].

G·拉明 ;

L·斯托克迈尔 ;

J·弗里德里希 ;

M·丹尼尔 ;

A·米勒 .

中国专利 :CN111051578A ,2020-04-21

[4]

用于生产掺杂有n型掺杂剂的硅单晶的方法和设备 [P].

W·施陶达赫尔 ;

G·拉明 .

中国专利 :CN113061987A ,2021-07-02

[5]

制造高掺杂硅单晶的方法 [P].

马丁·韦伯 ;

埃里希·格梅尔鲍尔 ;

罗伯特·福尔布赫纳 .

中国专利 :CN1439746A ,2003-09-03

[6]

硅单晶制造方法、硅单晶和晶片 [P].

中居克彦 ;

大久保正道 .

中国专利 :CN103282555A ,2013-09-04

[7]

硼酸酯、含硼掺杂剂和制造含硼掺杂剂的方法 [P].

R.A.斯皮尔 ;

E.W.小拉特 ;

L.M.梅丁 ;

H.X.徐 .

中国专利 :CN103748101B ,2014-04-23

[8]

氮掺杂剂加料装置、方法及氮掺杂单晶硅棒的制造系统 [P].

徐鹏 ;

衡鹏 ;

李阳 .

中国专利 :CN113882015A ,2022-01-04

[9]

改善重掺100硅单晶掺杂剂分布不均的拉晶方法 [P].

何福琴 ;

王黎光 ;

黄森 ;

芮阳 ;

伊冉 ;

温珂 ;

王忠保 ;

倪浩然 .

中国专利 :CN118880439A ,2024-11-01

[10]

一种用于直拉硅单晶多次加掺掺杂剂的装置 [P].

张欢 ;

郝晓明 ;

张宏浩 ;

吴志强 ;

崔彬 ;

姜舰 ;

王雅楠 ;

连庆伟 ;

李超 .

中国专利 :CN216919476U ,2022-07-08

← 1 2 3 4 5 →