氮掺杂剂加料装置、方法及氮掺杂单晶硅棒的制造系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111152860.3

申请日：

2021-09-29

公开(公告)号：

CN113882015A

公开(公告)日：

2022-01-04

发明(设计)人：

徐鹏衡鹏李阳

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市市辖区高新区西沣南路1888号1-3-029室

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253

代理人：

李斌栋;沈寒酉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/04 申请日:20210929
2022-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

氮掺杂硅熔体获取设备、方法及氮掺杂单晶硅制造系统 [P].

李阳 .

中国专利 :CN113818077A ,2021-12-21

[2]

一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒 [P].

兰洵 ;

李扬 .

中国专利 :CN113897671A ,2022-01-07

[3]

用于制造氮掺杂的单晶硅的方法 [P].

徐鹏 ;

文英熙 ;

倚娜 .

中国专利 :CN113846378A ,2021-12-28

[4]

氮掺杂P型单晶硅制造方法 [P].

徐鹏 ;

兰洵 .

中国专利 :CN113882016A ,2022-01-04

[5]

单晶硅掺杂剂的生产工艺 [P].

石坚 ;

俞峰峰 .

中国专利 :CN101565853A ,2009-10-28

[6]

掺杂剂添加方法、硅单晶制造方法、掺杂剂添加控制装置和硅单晶制造系统 [P].

太田博征 .

日本专利 :CN120830154A ,2025-10-24

[7]

直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法及单晶硅的制造方法 [P].

鹿岛一日儿 .

中国专利 :CN100348783C ,2005-10-19

[8]

直拉法生产单晶硅用添加掺杂剂的装置 [P].

栗宁 .

中国专利 :CN204022992U ,2014-12-17

[9]

制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅 [P].

黄末 .

中国专利 :CN109628993A ,2019-04-16

[10]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017B ,2024-11-19

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