氮掺杂P型单晶硅制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111153124.X

申请日：

2021-09-29

公开(公告)号：

CN113882016A

公开(公告)日：

2022-01-04

发明(设计)人：

徐鹏兰洵

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市市辖区高新区西沣南路1888号1-3-029室

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B1520 C30B2906

代理机构：

西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253

代理人：

姚勇政;沈寒酉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	公开	公开
2022-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/04 申请日:20210929

共 50 条

[1]

氮掺杂硅熔体获取设备、方法及氮掺杂单晶硅制造系统 [P].

李阳 .

中国专利 :CN113818077A ,2021-12-21

[2]

p型单晶硅的制造方法 [P].

浅野卓也 ;

佐伯幸一 ;

惠本美树 ;

小野田透 .

日本专利 :CN118345507A ,2024-07-16

[3]

用于制造氮掺杂的单晶硅的方法 [P].

徐鹏 ;

文英熙 ;

倚娜 .

中国专利 :CN113846378A ,2021-12-28

[4]

一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒 [P].

兰洵 ;

李扬 .

中国专利 :CN113897671A ,2022-01-07

[5]

P型单晶硅电池 [P].

葛学斌 ;

吴守庆 ;

冯成坤 .

中国专利 :CN213340387U ,2021-06-01

[6]

一种P型单晶硅电池及其制造方法 [P].

管先炳 .

中国专利 :CN109216480A ,2019-01-15

[7]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110541191B ,2019-12-06

[8]

氮掺杂剂加料装置、方法及氮掺杂单晶硅棒的制造系统 [P].

徐鹏 ;

衡鹏 ;

李阳 .

中国专利 :CN113882015A ,2022-01-04

[9]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017A ,2021-11-09

[10]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017B ,2024-11-19

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