用于制造氮掺杂的单晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111155528.2

申请日：

2021-09-29

公开(公告)号：

CN113846378A

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

徐鹏文英熙倚娜

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市市辖区高新区西沣南路1888号1-3-029室

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1504

代理机构：

西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253

代理人：

李斌栋;沈寒酉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	公开	公开
2022-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20210929

共 50 条

[1]

氮掺杂剂加料装置、方法及氮掺杂单晶硅棒的制造系统 [P].

徐鹏 ;

衡鹏 ;

李阳 .

中国专利 :CN113882015A ,2022-01-04

[2]

氮掺杂P型单晶硅制造方法 [P].

徐鹏 ;

兰洵 .

中国专利 :CN113882016A ,2022-01-04

[3]

氮掺杂硅熔体获取设备、方法及氮掺杂单晶硅制造系统 [P].

李阳 .

中国专利 :CN113818077A ,2021-12-21

[4]

一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒 [P].

兰洵 ;

李扬 .

中国专利 :CN113897671A ,2022-01-07

[5]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017A ,2021-11-09

[6]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017B ,2024-11-19

[7]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

[8]

单晶硅的制造方法 [P].

林三照 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108779577A ,2018-11-09

[9]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

中国专利 :CN114540938A ,2022-05-27

[10]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

斋藤康裕 ;

金原崇浩 ;

片野智一 ;

田边一美 ;

田中英树 .

中国专利 :CN107709634B ,2018-02-16

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