单晶硅的制造方法

被引：0

申请号：

CN202111405434.6

申请日：

2021-11-24

公开(公告)号：

CN114540938A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

川添真一琴冈敏朗堤有二

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B1520 C30B2906

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李婷;王玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/04 申请日:20211124
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法 [P].

川上泰史 ;

前川浩一 .

中国专利 :CN110914483B ,2020-03-24

[2]

单晶硅的制造方法 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 .

中国专利 :CN110249080A ,2019-09-17

[3]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

日本专利 :CN114540938B ,2024-04-19

[4]

单晶硅的制造方法 [P].

添田聪 ;

中野真二 ;

池田光市 .

中国专利 :CN105992840A ,2016-10-05

[5]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅锭 [P].

宝来正隆 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN110536980B ,2019-12-03

[6]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置 [P].

杉村涉 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN110678585A ,2020-01-10

[7]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[8]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[9]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[10]

单晶硅的制造方法 [P].

添田聪 ;

中野真二 .

中国专利 :CN104854266A ,2015-08-19

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