单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480062812.7

申请日：

2014-10-16

公开(公告)号：

CN105992840A

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

添田聪中野真二池田光市

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1504 C30B3004

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

谢顺星;张晶

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	授权	授权
2016-10-05	公开	公开
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686684504 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2014800628127 申请日:20141016

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

中国专利 :CN114540938A ,2022-05-27

[2]

单晶硅的制造方法 [P].

川上泰史 ;

前川浩一 .

中国专利 :CN110914483B ,2020-03-24

[3]

单晶硅的制造方法 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 .

中国专利 :CN110249080A ,2019-09-17

[4]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

日本专利 :CN114540938B ,2024-04-19

[5]

单晶硅的制造方法 [P].

添田聪 ;

中野真二 .

中国专利 :CN104854266A ,2015-08-19

[6]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅锭 [P].

宝来正隆 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN110536980B ,2019-12-03

[7]

n型单晶硅的制造方法 [P].

浅野卓也 ;

佐伯幸一 ;

惠本美树 ;

小野田透 .

日本专利 :CN118360665A ,2024-07-19

[8]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置 [P].

杉村涉 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN110678585A ,2020-01-10

[9]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[10]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

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