单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680036860.8

申请日：

2016-07-06

公开(公告)号：

CN107709634B

公开(公告)日：

2018-02-16

发明(设计)人：

梶原薰斋藤康裕金原崇浩片野智一田边一美田中英树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李婷;刘林华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-06	授权	授权
2018-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20160706
2018-02-16	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

[2]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[3]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[4]

单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置 [P].

横山龙介 ;

坂本英城 ;

杉村涉 .

中国专利 :CN112074628B ,2020-12-11

[5]

单晶硅及其制造方法 [P].

永井勇太 ;

中川聪子 ;

鹿岛一日儿 .

中国专利 :CN104278321B ,2015-01-14

[6]

单晶硅的制造方法 [P].

林三照 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108779577A ,2018-11-09

[7]

单晶硅的制造方法 [P].

八木大地 .

中国专利 :CN105274617A ,2016-01-27

[8]

单晶硅制造装置 [P].

渡边健一 ;

贺贤汉 .

中国专利 :CN102061516A ,2011-05-18

[9]

单晶硅的制造方法 [P].

三原佳祐 .

日本专利 :CN119256125A ,2025-01-03

[10]

单晶硅的制造方法 [P].

安村健 ;

橘昇二 .

中国专利 :CN106715766B ,2017-05-24

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