单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580046213.0

申请日：

2015-08-27

公开(公告)号：

CN106715766B

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

安村健橘昇二

申请人：

申请人地址：

日本山口县

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1504

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	公开	公开
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727786685 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2015800462130 申请日:20150827
2017-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法 [P].

八木大地 .

中国专利 :CN105274617A ,2016-01-27

[2]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

[3]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

斋藤康裕 ;

金原崇浩 ;

片野智一 ;

田边一美 ;

田中英树 .

中国专利 :CN107709634B ,2018-02-16

[4]

单晶硅的制造方法 [P].

铃木优作 .

中国专利 :CN106894083B ,2017-06-27

[5]

制造单晶硅 [P].

埃里克·绍尔 ;

奥列格·费费洛夫 ;

卡内尔·洛德 .

中国专利 :CN104246022A ,2014-12-24

[6]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[7]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[8]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[9]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[10]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

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