单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780017529.6

申请日：

2017-01-18

公开(公告)号：

CN108779577A

公开(公告)日：

2018-11-09

发明(设计)人：

林三照杉村涉小野敏昭藤原俊幸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1500 C30B1522

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李婷;刘林华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	公开	公开
2021-01-01	授权	授权
2018-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20170118

共 50 条

[1]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[2]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

[3]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110541191B ,2019-12-06

[4]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[5]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[6]

单晶硅晶片的制造方法 [P].

江原幸治 .

中国专利 :CN101361171A ,2009-02-04

[7]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[8]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

斋藤康裕 ;

金原崇浩 ;

片野智一 ;

田边一美 ;

田中英树 .

中国专利 :CN107709634B ,2018-02-16

[9]

单晶硅的制造方法 [P].

三原佳祐 .

日本专利 :CN119256125A ,2025-01-03

[10]

单晶硅的制造方法 [P].

金大基 .

中国专利 :CN108291328B ,2018-07-17

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