单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680068989.7

申请日：

2016-10-05

公开(公告)号：

CN108291328B

公开(公告)日：

2018-07-17

发明(设计)人：

金大基

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

肖日松;刘林华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-17	公开	公开
2018-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20161005
2020-11-17	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

[2]

单晶硅的制造方法 [P].

林三照 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108779577A ,2018-11-09

[3]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

斋藤康裕 ;

金原崇浩 ;

片野智一 ;

田边一美 ;

田中英树 .

中国专利 :CN107709634B ,2018-02-16

[4]

单晶硅的制造方法 [P].

三原佳祐 .

日本专利 :CN119256125A ,2025-01-03

[5]

单晶硅的制造方法 [P].

江头和幸 ;

齐藤正夫 .

中国专利 :CN106906514A ,2017-06-30

[6]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[7]

单晶硅的制造方法及硅晶片的制造方法 [P].

杉村涉 ;

坂本英城 ;

横山龙介 .

日本专利 :CN117916411A ,2024-04-19

[8]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[9]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[10]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

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