单晶硅的制造方法及硅晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280061187.9

申请日：

2022-06-15

公开(公告)号：

CN117916411A

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

杉村涉坂本英城横山龙介

申请人：

胜高股份有限公司

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B15/20

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张雨;吴强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-19	公开	公开
2024-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20220615

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[2]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[3]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片的制造方法、单晶硅及外延硅晶片 [P].

鸣嶋康人 ;

前川浩一 ;

小川福生 ;

川上泰史 .

中国专利 :CN110730831A ,2020-01-24

[4]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[5]

单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片 [P].

布施川泉 ;

大国祯之 ;

三田村伸晃 ;

太田友彦 ;

胜冈信生 .

中国专利 :CN1646736A ,2005-07-27

[6]

单晶硅晶片的制造方法 [P].

江原幸治 .

中国专利 :CN101361171A ,2009-02-04

[7]

单晶硅的制造方法和硅晶片 [P].

梶原薰 ;

原田和浩 .

中国专利 :CN110863240A ,2020-03-06

[8]

单晶硅晶片、单晶硅晶片的制造方法以及单晶硅晶片的评价方法 [P].

田原史夫 ;

大槻刚 ;

名古屋孝俊 ;

三谷清 .

中国专利 :CN102017069A ,2011-04-13

[9]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

中国专利 :CN114606567A ,2022-06-10

[10]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

日本专利 :CN114606567B ,2024-10-01

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