n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210251415.0

申请日：

2018-03-20

公开(公告)号：

CN114606567B

公开(公告)日：

2024-10-01

发明(设计)人：

前川浩一鸣嶋康人川上泰史小川福生木原亚由美

申请人：

胜高股份有限公司

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B15/04

IPC分类号：

C30B15/10 C30B15/20 C30B29/06 C30B30/04

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

梅黎

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

中国专利 :CN114606567A ,2022-06-10

[2]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

中国专利 :CN110753764A ,2020-02-04

[3]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

堤有二 .

中国专利 :CN110730832A ,2020-01-24

[4]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

堤有二 .

中国专利 :CN114438587A ,2022-05-06

[5]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片的制造方法、单晶硅及外延硅晶片 [P].

鸣嶋康人 ;

前川浩一 ;

小川福生 ;

川上泰史 .

中国专利 :CN110730831A ,2020-01-24

[6]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[7]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[8]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110541191B ,2019-12-06

[9]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[10]

单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片 [P].

布施川泉 ;

大国祯之 ;

三田村伸晃 ;

太田友彦 ;

胜冈信生 .

中国专利 :CN1646736A ,2005-07-27

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