单晶硅的制造方法、外延硅晶片的制造方法、单晶硅及外延硅晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880026803.0

申请日：

2018-04-12

公开(公告)号：

CN110730831A

公开(公告)日：

2020-01-24

发明(设计)人：

鸣嶋康人前川浩一小川福生川上泰史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

H01L2120 H01L21205 H01L21324

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

杨戬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20180412
2020-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110541191B ,2019-12-06

[2]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[3]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[4]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

堤有二 .

中国专利 :CN110730832A ,2020-01-24

[5]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

堤有二 .

中国专利 :CN114438587A ,2022-05-06

[6]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

中国专利 :CN114606567A ,2022-06-10

[7]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

日本专利 :CN114606567B ,2024-10-01

[8]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

中国专利 :CN110753764A ,2020-02-04

[9]

单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

三田村伸晃 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1653213A ,2005-08-10

[10]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

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