制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811525438.6

申请日：

2018-12-13

公开(公告)号：

CN109628993A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

黄末

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市徐州经济开发区杨山路66号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B2906 C01G2800

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

赵天月

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	授权	授权
2019-04-16	公开	公开
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/04 申请日:20181213

共 50 条

[1]

直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法及单晶硅的制造方法 [P].

鹿岛一日儿 .

中国专利 :CN100348783C ,2005-10-19

[2]

单晶硅的掺杂设备 [P].

邹凯 ;

田栋东 ;

李长营 ;

莫磊 ;

张国宏 ;

刘浩浩 ;

张德林 ;

陈亮亮 .

中国专利 :CN221566374U ,2024-08-20

[3]

一种掺杂单晶硅的直拉生长方法及掺杂单晶硅 [P].

王文华 ;

杨东 ;

赵鹏 .

中国专利 :CN115478321A ,2022-12-16

[4]

一种掺杂单晶硅的直拉生长方法及掺杂单晶硅 [P].

王文华 ;

杨东 ;

赵鹏 .

中国专利 :CN115478321B ,2024-05-10

[5]

单晶硅掺杂剂的生产工艺 [P].

石坚 ;

俞峰峰 .

中国专利 :CN101565853A ,2009-10-28

[6]

单晶炉及锑掺杂单晶硅棒的制备方法 [P].

邱渤杰 ;

王唯佳 ;

孙伟刚 ;

徐炳珩 .

中国专利 :CN118814270A ,2024-10-22

[7]

单晶硅的制备方法和单晶硅 [P].

张玲玲 ;

张华利 ;

周声浪 ;

陈宗霆 ;

宋亚飞 ;

周洁 .

中国专利 :CN119753819A ,2025-04-04

[8]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017B ,2024-11-19

[9]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017A ,2021-11-09

[10]

单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置 [P].

曹建伟 ;

傅林坚 ;

胡建荣 ;

高宇 ;

倪军夫 ;

叶钢飞 ;

春伟博 ;

谭庆 ;

黄剑利 .

中国专利 :CN210796694U ,2020-06-19

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