一种掺杂单晶硅的直拉生长方法及掺杂单晶硅

被引：0

申请号：

CN202210984351.5

申请日：

2022-08-16

公开(公告)号：

CN115478321A

公开(公告)日：

2022-12-16

发明(设计)人：

王文华杨东赵鹏

申请人：

申请人地址：

750000 宁夏回族自治区银川市（国家级）经济技术开发区开元东路15号

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B1504 C30B2906

代理机构：

北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319

代理人：

刘盛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20220816
2022-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种掺杂单晶硅的直拉生长方法及掺杂单晶硅 [P].

王文华 ;

杨东 ;

赵鹏 .

中国专利 :CN115478321B ,2024-05-10

[2]

一种单晶硅的生长方法及单晶硅 [P].

陈鹏 ;

李晓强 .

中国专利 :CN112680787A ,2021-04-20

[3]

单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P].

卢哲玮 ;

薛抗美 .

中国专利 :CN111394784A ,2020-07-10

[4]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017A ,2021-11-09

[5]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017B ,2024-11-19

[6]

直径转变的直拉单晶硅生长方法 [P].

潘金平 ;

王伟棱 ;

郑欢欣 ;

邵晓安 ;

应路路 ;

郑春松 ;

饶伟星 ;

王飞尧 .

中国专利 :CN103290470B ,2013-09-11

[7]

一种掺杂的直拉单晶硅 [P].

赵钧永 .

中国专利 :CN102312292A ,2012-01-11

[8]

掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用 [P].

陈鹏 ;

李晓强 .

中国专利 :CN112831828B ,2021-05-25

[9]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13

[10]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN108823636A ,2018-11-16

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