一种掺杂单晶硅的直拉生长方法及掺杂单晶硅

被引：0

申请号：

CN202210984351.5

申请日：

2022-08-16

公开(公告)号：

CN115478321A

公开(公告)日：

2022-12-16

发明(设计)人：

王文华杨东赵鹏

申请人：

申请人地址：

750000 宁夏回族自治区银川市（国家级）经济技术开发区开元东路15号

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B1504 C30B2906

代理机构：

北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319

代理人：

刘盛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20220816
2022-12-16	公开	公开

共 50 条

[41]

制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅 [P].

黄末 .

中国专利 :CN109628993A ,2019-04-16

[42]

单晶炉及锑掺杂单晶硅棒的制备方法 [P].

邱渤杰 ;

王唯佳 ;

孙伟刚 ;

徐炳珩 .

中国专利 :CN118814270A ,2024-10-22

[43]

一种双副室单晶硅筒生长炉及单晶硅生长方法 [P].

陈亚雄 ;

许颖 ;

陈景鹏 .

中国专利 :CN110129879A ,2019-08-16

[44]

籽晶组件、铸造单晶硅锭的生长方法及其铸造单晶硅锭 [P].

雷琦 ;

何亮 ;

宾士勇 ;

李小平 ;

程小娟 ;

毛伟 ;

徐云飞 ;

周成 ;

王文平 ;

甘胜泉 .

中国专利 :CN118814267A ,2024-10-22

[45]

超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒 [P].

夏秋良 ;

刘坤 .

中国专利 :CN112553684A ,2021-03-26

[46]

单晶硅掺杂吊装工具 [P].

杨帅 ;

程冬平 ;

周凌龙 ;

刘学军 .

中国专利 :CN222273883U ,2024-12-31

[47]

低氧含量单晶硅生长方法 [P].

张俊宝 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN107604430A ,2018-01-19

[48]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅锭 [P].

宝来正隆 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN110536980B ,2019-12-03

[49]

一种直拉法生长低电阻率单晶硅用掺杂装置及掺杂方法 [P].

王学锋 ;

邓德辉 ;

高朝阳 ;

曾泽红 ;

郑沉 ;

方峰 .

中国专利 :CN103849927A ,2014-06-11

[50]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

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