直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法及单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510059736.7

申请日：

2005-03-29

公开(公告)号：

CN100348783C

公开(公告)日：

2005-10-19

发明(设计)人：

鹿岛一日儿

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-14	授权	授权
2005-10-19	公开	公开
2005-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-05-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582394858 IPC(主分类):C30B 15/04 专利号:ZL2005100597367 申请日:20050329 授权公告日:20071114 终止日期:20130329

共 50 条

[1]

制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅 [P].

黄末 .

中国专利 :CN109628993A ,2019-04-16

[2]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017A ,2021-11-09

[3]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017B ,2024-11-19

[4]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅锭 [P].

宝来正隆 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN110536980B ,2019-12-03

[5]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

中国专利 :CN114540938A ,2022-05-27

[6]

单晶硅的制造方法 [P].

川上泰史 ;

前川浩一 .

中国专利 :CN110914483B ,2020-03-24

[7]

单晶硅的制造方法 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 .

中国专利 :CN110249080A ,2019-09-17

[8]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

日本专利 :CN114540938B ,2024-04-19

[9]

单晶硅的制造方法 [P].

添田聪 ;

中野真二 ;

池田光市 .

中国专利 :CN105992840A ,2016-10-05

[10]

单晶硅的制造方法 [P].

吹留佳祐 ;

八木大地 ;

金原崇浩 ;

深津宣人 .

日本专利 :CN118871629A ,2024-10-29

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