单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380027815.6

申请日：

2023-01-12

公开(公告)号：

CN118871629A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

吹留佳祐八木大地金原崇浩深津宣人

申请人：

胜高股份有限公司

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B15/04

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

梅黎;蔡晓菡

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20230112
2024-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

中国专利 :CN114540938A ,2022-05-27

[2]

单晶硅的制造方法 [P].

川上泰史 ;

前川浩一 .

中国专利 :CN110914483B ,2020-03-24

[3]

单晶硅的制造方法 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 .

中国专利 :CN110249080A ,2019-09-17

[4]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

日本专利 :CN114540938B ,2024-04-19

[5]

单晶硅的制造方法 [P].

添田聪 ;

中野真二 ;

池田光市 .

中国专利 :CN105992840A ,2016-10-05

[6]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅锭 [P].

宝来正隆 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN110536980B ,2019-12-03

[7]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[8]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[9]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[10]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置 [P].

杉村涉 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN110678585A ,2020-01-10

← 1 2 3 4 5 →