制造高掺杂硅单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03105415.3

申请日：

2003-02-20

公开(公告)号：

CN1439746A

公开(公告)日：

2003-09-03

发明(设计)人：

马丁·韦伯埃里希·格梅尔鲍尔罗伯特·福尔布赫纳

申请人：

申请人地址：

联邦德国布格豪森

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

过晓东

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-17	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
2003-09-03	公开	公开
2003-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

硅单晶的制造方法 [P].

小川福生 ;

太田博征 ;

小原隆 .

日本专利 :CN117626426A ,2024-03-01

[2]

磷掺杂硅单晶 [P].

泰斯·莱斯·斯维加德 ;

马丁·格莱斯瓦恩吉 ;

克里斯蒂安·伽米洛夫特·辛德里森 ;

苏尼·布·杜恩 ;

安德斯·雷 .

中国专利 :CN108699724B ,2018-10-23

[3]

掺杂剂添加方法、硅单晶制造方法、掺杂剂添加控制装置和硅单晶制造系统 [P].

太田博征 .

日本专利 :CN120830154A ,2025-10-24

[4]

制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法 [P].

马丁·韦伯 ;

彼得·维尔茨曼 ;

埃里希·格迈尔鲍尔 ;

罗伯特·沃尔布希纳 .

中国专利 :CN1498988A ,2004-05-26

[5]

硅单晶及其制造方法 [P].

马丁·韦伯 ;

维尔弗里德·冯·阿蒙 ;

赫伯特·施密特 ;

亚尼斯·维尔布里斯 ;

尤里·格尔夫加特 ;

列昂尼德·戈尔布诺夫 .

中国专利 :CN1318654C ,2004-06-30

[6]

直拉硅单晶生长的重掺杂方法 [P].

沈益军 ;

马向阳 ;

田达晰 ;

李立本 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1109778C ,2002-02-27

[7]

硅单晶的制造方法 [P].

金原崇浩 ;

片野智一 .

中国专利 :CN109666968A ,2019-04-23

[8]

直拉硅单晶的掺杂装置及方法 [P].

刘进 ;

王忠保 ;

李巨晓 ;

芮阳 ;

魏兴彤 ;

马小龙 ;

虎永慧 .

中国专利 :CN113549994B ,2021-10-26

[9]

制造硅单晶的方法 [P].

J·洛布迈尔 ;

G·布伦宁格 ;

W·施泰因 .

中国专利 :CN103668435B ,2014-03-26

[10]

硅单晶的制造方法 [P].

松村尚 .

中国专利 :CN114616361A ,2022-06-10

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