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一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201822213533.4
申请日：
2018-12-27
公开(公告)号：
CN209276672U
公开(公告)日：
2019-08-20
发明(设计)人：
张向东 王林 毛荣昌 俞顺根 章斌 程龙柱
申请人：
申请人地址：
324022 浙江省衢州市衢江区岑一路11-1号1幢
IPC主分类号：
C30B1504
IPC分类号：
C30B2906
代理机构：
衢州维创维邦专利代理事务所(普通合伙) 33282
代理人：
慈程麟
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-12-06 专利权的终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/04 申请日:20181227 授权公告日:20190820 终止日期:20211227
2019-08-20 授权 授权
共 50 条
[1]
一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及提纯掺杂方法 [P]. 
张向东 ;
王林 ;
毛荣昌 ;
俞顺根 ;
章斌 ;
程龙柱 .
中国专利 :CN109457294A ,2019-03-12
[2]
一种重掺锑硅单晶中锑元素掺杂的方法及掺杂装置 [P]. 
杨静 ;
韩焕鹏 ;
张伟才 ;
莫宇 ;
王世援 ;
赵堃 ;
孙伟乾 ;
刘建义 ;
曹嘉麟 .
中国专利 :CN114574946B ,2024-06-14
[3]
一种重掺锑硅单晶中锑元素掺杂的方法及掺杂装置 [P]. 
杨静 ;
韩焕鹏 ;
张伟才 ;
莫宇 ;
王世援 ;
赵堃 ;
孙伟乾 ;
刘建义 ;
曹嘉麟 .
中国专利 :CN114574946A ,2022-06-03
[4]
一种提高重掺锑硅单晶氧含量的生产设备 [P]. 
张向东 ;
王林 ;
沈顺华 ;
毛荣昌 ;
俞顺根 .
中国专利 :CN209555404U ,2019-10-29
[5]
提高掺锑硅单晶轴向电阻均匀性的方法及掺锑硅单晶 [P]. 
王军磊 ;
乔乐 ;
付明全 ;
徐志群 .
中国专利 :CN120330871A ,2025-07-18
[6]
直拉重掺锑单晶的掺杂方法及掺杂装置 [P]. 
沈浩平 ;
高润飞 ;
张雪囡 ;
高树良 ;
尚伟泽 ;
刘建伟 ;
徐强 ;
郭丽华 ;
李海静 .
中国专利 :CN101717993B ,2010-06-02
[7]
以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法 [P]. 
阙端麟 ;
李立本 ;
陈修治 .
中国专利 :CN86100854A ,1986-09-03
[8]
一种硅单晶锑掺杂剂制备装置 [P]. 
王鹏 ;
张俊 .
中国专利 :CN210481572U ,2020-05-08
[9]
提高重掺锑硅单晶氧含量的热场系统、单晶炉及拉晶方法 [P]. 
马武祥 ;
梅昊天 ;
郭可 ;
范吉祥 .
中国专利 :CN120797176A ,2025-10-17
[10]
磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片 [P]. 
田达晰 ;
马向阳 ;
李刚 ;
何永增 ;
郑铁波 ;
梁兴勃 ;
陈华 ;
王震 .
中国专利 :CN104711675A ,2015-06-17
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